igbt产品开发 30-60万

功率器件研发高工／经理/总监 
岗位职责: 
1、参与制定公司长中短期研发计划，负责带领研发部门有效执行公司研发战略 和年度研发计划，制定项目实施计划，监控项目进度及质量，保证项目如期完成; 
2、负责 IGBT, MOSFET, FRD，SiC 等功率半导体的器件及工艺仿真，版图设计和 工艺流程制定，对接晶圆代工厂和封装厂; 
3、负责持续改进、优化技术方案，提高产品性能及良率，形成相关技术开发文 档和标准化设计文档;负责建立和完善产品研发全流程管理规范并能监督执行; 
4、负责研发团队的日常管理和考核，内外资源有效协调，培养团队核心竞争力; 5、完成上级领导安排的其他工作任务。
岗位要求:
1、半导体物理、电子、微电子学等相关专业硕士及以上学历;
2、有 5 年以上功率半导体器件设计经验，有成功的 IGBT 或 MOSFET 产品开发及 量产流片经验; 
3、有半导体晶圆厂工艺整合/技术开发/产品开发经验，熟悉功率器件产品的流 程及制程条件;
4、熟练掌握半导体工艺和器件仿真软件(如 Sentaurus、Silvaco 等)使用, 熟悉 版图工具软件(如 Cadence 或 Tanner EDA 等)，能独立完成工艺和器件的仿真、 方案整理及版图设计;

上海某igbt设计公司